
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。


NVMFD5C650NLT1G | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND - テープ&リール(TR) NVMFD5C650NLT1GOSCT-ND - カット テープ(CT) NVMFD5C650NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | NVMFD5C650NLT1G |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN |
メーカーの標準リードタイム | 19 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 60V 21A(Ta)、111A(Tc) 3.5W(Ta)、125W(Tc) 面実装 8-DFN(5x6)デュアルフラグ(SO8FLデュアル) |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | NVMFD5C650NLT1G モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 60V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 21A(Ta)、111A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 4.2ミリオーム @ 20A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.2V @ 98µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 16nC @ 4.5V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 2546pF @ 25V | |
電力 - 最大 | 3.5W(Ta)、125W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | 自動車 | |
認定 | AEC-Q101 | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN(5x6)デュアルフラグ(SO8FLデュアル) | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥901.00000 | ¥901 |
| 10 | ¥601.00000 | ¥6,010 |
| 100 | ¥431.32000 | ¥43,132 |
| 500 | ¥419.68600 | ¥209,843 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1,500 | ¥342.88000 | ¥514,320 |
| 単価(消費税抜き): | ¥901.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥991.10000 |









