Name: NVH4L070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVH4L070N120M3S-ND
Price: 3197.7 JPY
Availability: InStock

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NVH4L070N120M3S
DigiKey製品番号	5556-NVH4L070N120M3S-ND
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NVH4L070N120M3S
商品概要	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 34A（Tc） 160W（Tc）スルーホール TO-247-4L
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 57 nC @ 18 V
メーカー onsemi	Vgs（最大） +22V、-10V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1230 pF @ 800 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 160W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 34A（Tc）	取り付けタイプスルーホール
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 87ミリオーム @ 15A、18V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id印加時のVgs（th）（最大） 4.4V @ 7mA

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単価（消費税抜き）:	¥2,907.00000
単価（消費税込み）:	¥3,197.70000

NVH4L070N120M3S