NVD6415ANT4G-VF01 onsemi | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 29 nC @ 10 V
メーカー onsemi	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 700 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 83W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 23A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	サプライヤデバイスパッケージ DPAK-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 55ミリオーム @ 23A、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA	ベース品番 NVD6415

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