MOSFET - アレイ 25V 11A(Ta)、21A(Ta) 800mW(Ta)、900mW(Ta) 面実装 8-PQFN(3.3x3.3)
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NTTFD1D8N02P1E

DigiKey製品番号
488-NTTFD1D8N02P1E-ND
メーカー
メーカー製品番号
NTTFD1D8N02P1E
商品概要
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
メーカーの標準リードタイム
41 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 25V 11A(Ta)、21A(Ta) 800mW(Ta)、900mW(Ta) 面実装 8-PQFN(3.3x3.3)
データシート
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製品属性
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カテゴリ
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
4.2ミリオーム @ 15A、10V、1.4ミリオーム @ 29A、10V
メーカー
onsemi
Id印加時のVgs(th)(最大)
2V @ 190µA、2V @ 310µA
シリーズ
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
5.5nC @ 4.5V、17nC @ 4.5V
梱包形態
バルク
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
873pF @ 15V、2700pF @ 15V
部品状況
アクティブ
電力 - 最大
800mW(Ta)、900mW(Ta)
技術
MOSFET(金属酸化物)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
構成
2N-チャンネル(デュアル)非対称
取り付けタイプ
面実装
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
25V
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
11A(Ta)、21A(Ta)
サプライヤデバイスパッケージ
8-PQFN(3.3x3.3)
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
在庫:2,980個
メーカー在庫 27,000
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価格はすべてJPYです
バルク
数量 単価 請求価格
1¥374.00000¥374
10¥239.30000¥2,393
100¥162.66000¥16,266
500¥129.85800¥64,929
1,000¥119.31100¥119,311
3,000¥105.92400¥317,772
6,000¥102.41183¥614,471
メーカーの標準パッケージ
単価(消費税抜き):¥374.00000
単価(消費税込み):¥411.40000