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カテゴリ | Id、Vgs印加時のRds On(最大) 4.2ミリオーム @ 15A、10V、1.4ミリオーム @ 29A、10V |
メーカー onsemi | Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 190µA、2V @ 310µA |
シリーズ | Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 5.5nC @ 4.5V、17nC @ 4.5V |
梱包形態 バルク | Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 873pF @ 15V、2700pF @ 15V |
部品状況 アクティブ | 電力 - 最大 800mW(Ta)、900mW(Ta) |
技術 MOSFET(金属酸化物) | 動作温度 -55°C~150°C(TJ) |
構成 2N-チャンネル(デュアル)非対称 | 取り付けタイプ 面実装 |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 25V | パッケージ/ケース 8-PowerWDFN |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 11A(Ta)、21A(Ta) | サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN(3.3x3.3) |
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在庫:2,980個
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バルク
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥374.00000 | ¥374 |
| 10 | ¥239.30000 | ¥2,393 |
| 100 | ¥162.66000 | ¥16,266 |
| 500 | ¥129.85800 | ¥64,929 |
| 1,000 | ¥119.31100 | ¥119,311 |
| 3,000 | ¥105.92400 | ¥317,772 |
| 6,000 | ¥102.41183 | ¥614,471 |
| 単価(消費税抜き): | ¥374.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥411.40000 |

