NTR3161NT3G onsemi | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 7.3 nC @ 4.5 V
梱包形態バルク	Vgs（最大） ±8V
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 540 pF @ 10 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 820mW（Ta）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 4A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V、4.5V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 50ミリオーム @ 3.3A、4.5V

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NTR3161NT3G