Name: NTMJS1D4N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMJS1D4N06CLTWGTR-ND
Price: 576.4 JPY
Availability: OutOfStock

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NTMJS1D4N06CLTWG
DigiKey製品番号	488-NTMJS1D4N06CLTWGTR-ND - テープ＆リール（TR） 488-NTMJS1D4N06CLTWGCT-ND - カットテープ（CT） 488-NTMJS1D4N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTMJS1D4N06CLTWG
商品概要	MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
メーカーの標準リードタイム	43 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 39A（Ta）、262A（Tc） 4W（Ta）、180W（Tc）面実装 8-LFPAK
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NTMJS1D4N06CLTWG モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	39A（Ta）、262A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.3リオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 280µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	103 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	7430 pF @ 30 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	4W（Ta）、180W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-LFPAK
パッケージ/ケース	SOT-1205、8-LFPAK56
ベース品番	NTMJS1