Name: NTMFS6H800NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND
Price: 761.2 JPY
Availability: OutOfStock

NTMFS6H800NLT1G は在庫切れとなっており、繰越注文をご利用いただけます。

購入可能な代替品:

パラメータ等価

onsemi

在庫あり: 0

単価 : ¥1,017.00000

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

NTMFS6H800NLT1G
DigiKey製品番号	488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND - テープ＆リール（TR） 488-NTMFS6H800NLT1GCT-ND - カットテープ（CT） 488-NTMFS6H800NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTMFS6H800NLT1G
商品概要	MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 30A（Ta）、224A（Tc） 3.9W（Ta）、214W（Tc）面実装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NTMFS6H800NLT1G モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 330µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 112 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6900 pF @ 40 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3.9W（Ta）、214W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Ta）、224A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN、5リード
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.9ミリオーム @ 50A、10V	ベース品番 NTMFS6