NTD5802NT4G onsemi | シングルFET、MOSFET

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

NTD5802NT4G
DigiKey製品番号	NTD5802NT4GOSTR-ND - テープ＆リール（TR） NTD5802NT4GOSCT-ND - カットテープ（CT）
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTD5802NT4G
商品概要	MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 16.4A（Ta）、101A（Tc） 2.5W（Ta）、93.75W（Tc）面実装 DPAK
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NTD5802NT4G モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT）
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	16.4A（Ta）、101A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.4ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	100 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5025 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、93.75W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	DPAK
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	NTD5802