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類似

MTB50P03HDLT4G
onsemi
在庫あり: 288
単価 : ¥891.00000
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パラメータ等価

NDB6030PL
Rochester Electronics, LLC
在庫あり: 10,115
単価 : ¥227.47847
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Pチャンネル 30 V 30A（Tc） 75W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK）
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タシートを参照ください。
Pチャンネル 30 V 30A（Tc） 75W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK）
TO-263

NDB6030PL

DigiKey製品番号
NDB6030PLFSTR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー
onsemi
メーカー製品番号
NDB6030PL
商品概要
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明
Pチャンネル 30 V 30A（Tc） 75W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK）
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
NDB6030PL モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
onsemi
シリーズ
-
梱包形態
テープ＆リール（TR）
部品状況
生産中止品
FETタイプ
Pチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
30A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
25ミリオーム @ 19A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
36 nC @ 5 V
Vgs（最大）
±16V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
1570 pF @ 15 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
75W（Tc）
動作温度
-65°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース
TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番
NDB603
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生産中止品
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