型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | 生産中止品 | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 6Nチャンネル(3相ブリッジ) | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 40V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 150A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 1.66ミリオーム @ 80A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | - | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | - | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | - | |
電力 - 最大 | 115W | |
動作温度 | 175°C(TJ) | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
パッケージ/ケース | 19-PowerDIPモジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | モジュール | |
ベース品番 |