FQP19N20C onsemi | シングルFET、MOSFET

FQP19N20C は生産中止品です。現在は生産されていません。

購入可能な代替品:

類似

Infineon Technologies

在庫あり: 108

単価 : ¥434.00000

類似

STMicroelectronics

在庫あり: 1,449

単価 : ¥335.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 53 nC @ 10 V
シリーズ QFET®	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1080 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 139W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 19A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FQP19
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 170ミリオーム @ 9.5A、10V

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環境および輸出に関する分類

FQP19N20C

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IRF200B211	Infineon Technologies	108	IRF200B211-ND	¥434.00000	類似
STP19NF20	STMicroelectronics	1,449	497-7514-5-ND	¥335.00000	類似