FQD2N80TM onsemi | シングルFET、MOSFET

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STMicroelectronics

在庫あり: 1,319

単価 : ¥804.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 15 nC @ 10 V
シリーズ QFET®	Vgs（最大） ±30V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 550 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、50W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1.8A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FQD2N80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6.3オーム @ 900mA、10V