Name: FQD13N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N10TMTR-ND
Price: 261.8 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

FQD13N10TM
DigiKey製品番号	FQD13N10TMTR-ND - テープ＆リール（TR） FQD13N10TMCT-ND - カットテープ（CT） FQD13N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FQD13N10TM
商品概要	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
メーカーの標準リードタイム	14 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 10A（Tc） 2.5W（Ta）、40W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 16 nC @ 10 V
シリーズ QFET®	Vgs（最大） ±25V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 450 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、40W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FQD13N10
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 180ミリオーム @ 5A、10V