Name: FQD13N06LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N06LTMTR-ND
Price: 218.9 JPY
Availability: InStock

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FQD13N06LTM
DigiKey製品番号	FQD13N06LTMTR-ND - テープ＆リール（TR） FQD13N06LTMCT-ND - カットテープ（CT） FQD13N06LTMDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FQD13N06LTM
商品概要	MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
メーカーの標準リードタイム	10 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 11A（Tc） 2.5W（Ta）、28W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	FQD13N06LTM モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 6.4 nC @ 5 V
シリーズ QFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 350 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、28W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～155°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V、10V	ベース品番 FQD13N06
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 115ミリオーム @ 5.5A、10V