Name: FQB4N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQB4N80TMTR-ND
Price: 590.7 JPY
Availability: InStock

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FQB4N80TM
DigiKey製品番号	FQB4N80TMTR-ND - テープ＆リール（TR） FQB4N80TMCT-ND - カットテープ（CT） FQB4N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FQB4N80TM
商品概要	MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	13 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 3.9A（Tc） 3.13W（Ta）、130W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 25 nC @ 10 V
シリーズ QFET®	Vgs（最大） ±30V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 880 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.13W（Ta）、130W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 3.9A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FQB4N80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.6オーム @ 1.95A、10V

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ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

数量	単価	請求価格
800	¥172.53625	¥138,029
1,600	¥160.25125	¥256,402

単価（消費税抜き）:	¥537.00000
単価（消費税込み）:	¥590.70000

FQB4N80TM