FQB33N10LTM onsemi | ディスクリート半導体製品

FQB33N10LTM
DigiKey製品番号	FQB33N10LTMTR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FQB33N10LTM
商品概要	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 33A（Tc） 3.75W（Ta）、127W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	QFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	33A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	52ミリオーム @ 16.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	40 nC @ 5 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1630 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.75W（Ta）、127W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	FQB33N10