Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 537.9 JPY
Availability: InStock

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FQB22P10TM
DigiKey製品番号	FQB22P10TMTR-ND - テープ＆リール（TR） FQB22P10TMCT-ND - カットテープ（CT） FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FQB22P10TM
商品概要	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	10 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 100 V 22A（Tc） 3.75W（Ta）、125W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 50 nC @ 10 V
シリーズ QFET®	Vgs（最大） ±30V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1500 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.75W（Ta）、125W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 22A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FQB22P10
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 125ミリオーム @ 11A、10V