カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 60 nC @ 10 V
シリーズ FRFET®, QFET™	Vgs（最大） ±30V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2210 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 143W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 500 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FQB10N50
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 610ミリオーム @ 5A、10V

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FDB20N50F	onsemi	14,322	FDB20N50FCT-ND	¥814.00000	メーカー推奨品
IXFA12N50P	IXYS	278	IXFA12N50P-ND	¥1,029.00000	類似
IXTA12N50P	IXYS	0	238-IXTA12N50P-ND	¥984.00000	類似
IXTA15N50L2	IXYS	85	IXTA15N50L2-ND	¥3,020.00000	類似
IXTA6N50D2	IXYS	641	238-IXTA6N50D2-ND	¥2,066.00000	類似

FQB10N50CFTM-WS