FDP090N10 onsemi | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 116 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 8225 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 208W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FDP090
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9ミリオーム @ 75A、10V

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代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
CSD19533KCS	Texas Instruments	2,172	296-37482-5-ND	¥419.00000	類似
IPP114N12N3GXKSA1	Infineon Technologies	319	448-IPP114N12N3GXKSA1-ND	¥489.00000	類似
IXFP130N10T2	IXYS	0	IXFP130N10T2-ND	¥569.66667	類似
STP120NF10	STMicroelectronics	17,733	497-4118-5-ND	¥1,007.00000	類似

在庫：11,756個

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単価（消費税抜き）:	¥736.00000
単価（消費税込み）:	¥809.60000

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