Name: FDP053N08B-F102
Brand: onsemi
SKU: FDP053N08B-F102-ND
Price: 532.4 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 85 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5960 pF @ 40 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 146W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FDP053
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 5.3ミリオーム @ 75A、10V

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