FDI3632
DigiKey製品番号	FDI3632FS-ND
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FDI3632
商品概要	MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 12A（Ta）、80A（Tc） 310W（Tc）スルーホール TO-262（I2PAK）
データシート	データシート

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
メーカー onsemi	Vgs（最大） ±20V
シリーズ PowerTrench®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6000 pF @ 25 V
梱包形態チューブ	電力散逸（最大） 310W（Tc）
部品状況生産中止品	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）、80A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-262（I2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9ミリオーム @ 80A、10V	ベース品番 FDI3632
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
AOB288L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOB288L-ND	¥162.76875	類似
BUK969R3-100E,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-1064-2-ND	¥216.53875	類似
IPI076N12N3GAKSA1	Infineon Technologies	66	IPI076N12N3GAKSA1-ND	¥643.00000	類似
IPI086N10N3GXKSA1	Infineon Technologies	28	IPI086N10N3GXKSA1-ND	¥402.00000	類似
SUM70090E-GE3	Vishay Siliconix	4,533	SUM70090E-GE3CT-ND	¥424.00000	類似

FDI3632