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FDG6335N は生産中止品です。現在は生産されていません。
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製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ＆リール（TR） | |
部品状況 | 生産中止品 | |
技術 | MOSFET（金属酸化物） | |
構成 | 2 Nチャンネル（デュアル） | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 700mA | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 300ミリオーム @ 700mA、4.5V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 1.4nC @ 4.5V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 113pF @ 10V | |
電力 - 最大 | 300mW | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-88（SC-70-6） | |
ベース品番 |
生産中止品
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1 品目
日本