Name: FDD86250
Brand: onsemi
SKU: FDD86250TR-ND
Price: 391.6 JPY
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

在庫あり: 29,098

単価 : ¥509.00000

類似

Renesas Electronics Corporation

在庫あり: 0

単価 : ¥387.21250

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FDD86250
DigiKey製品番号	FDD86250TR-ND - テープ＆リール（TR） FDD86250CT-ND - カットテープ（CT） FDD86250DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FDD86250
商品概要	MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 150 V 8A（Ta）、50A（Tc） 3.1W（Ta）、132W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	FDD86250 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 33 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2110 pF @ 75 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.1W（Ta）、132W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 150 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8A（Ta）、50A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 FDD862
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 22ミリオーム @ 8A、10V

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関連リソース

代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPD200N15N3GATMA1	Infineon Technologies	29,098	IPD200N15N3GATMA1CT-ND	¥509.00000	直接
RBE039N15R1SZQ4#GB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBE039N15R1SZQ4#GB0TR-ND	¥387.21250	類似