Name: FDD86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86102LZFSTR-ND
Price: 438.9 JPY
Availability: InStock

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FDD86102LZ
DigiKey製品番号	FDD86102LZFSTR-ND - テープ＆リール（TR） FDD86102LZFSCT-ND - カットテープ（CT） FDD86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FDD86102LZ
商品概要	MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 8A（Ta）、35A（Tc） 3.1W（Ta）、54W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	FDD86102LZ モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 26 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1540 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.1W（Ta）、54W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8A（Ta）、35A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 FDD86102
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 22.5ミリオーム @ 8A、10V