Name: FDB3652
Brand: onsemi
SKU: FDB3652TR-ND
Price: 574.2 JPY
Availability: InStock

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FDB3652
DigiKey製品番号	FDB3652TR-ND - テープ＆リール（TR） FDB3652CT-ND - カットテープ（CT） FDB3652DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FDB3652
商品概要	MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 9A（Ta）、61A（Tc） 150W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	FDB3652 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 53 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2880 pF @ 25 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 150W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 9A（Ta）、61A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 FDB365
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 16ミリオーム @ 61A、10V

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関連リソース

代替品リスト（6）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPB144N12N3GATMA1	Infineon Technologies	150	IPB144N12N3GATMA1CT-ND	¥548.00000	類似
IPB70N10S3L12ATMA1	Infineon Technologies	4,632	448-IPB70N10S3L12ATMA1CT-ND	¥607.00000	類似
IRFS4510TRLPBF	Infineon Technologies	1,600	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND	¥181.91125	類似
PSMN016-100BS,118	Nexperia USA Inc.	4,024	1727-7208-1-ND	¥427.00000	類似
STB40NF10LT4	STMicroelectronics	857	497-3736-1-ND	¥587.00000	類似