Name: FDB16AN08A0
Brand: onsemi
SKU: FDB16AN08A0TR-ND
Price: 660 JPY
Availability: InStock

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FDB16AN08A0
DigiKey製品番号	FDB16AN08A0TR-ND - テープ＆リール（TR） FDB16AN08A0CT-ND - カットテープ（CT） FDB16AN08A0DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FDB16AN08A0
商品概要	MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	44 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 75 V 9A（Ta）、58A（Tc） 135W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	FDB16AN08A0 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	PowerTrench®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	75 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	9A（Ta）、58A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	16ミリオーム @ 58A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	42 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1857 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	135W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	FDB16AN08