FDB0105N407L onsemi | ディスクリート半導体製品

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	PowerTrench®
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	460A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	0.8ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	291 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	23100 pF @ 20 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.8W（Ta）、300W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263-7
パッケージ/ケース	TO-263-7、D2PAK（6リード + タブ）
ベース品番	FDB0105