Name: FDA16N50-F109
Brand: onsemi
SKU: FDA16N50-F109OS-ND
Price: 782.1 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 45 nC @ 10 V
シリーズ UniFET™	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1945 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 205W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 500 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-3PN
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 16.5A（Tc）	パッケージ/ケース TO-3P-3、SC-65-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FDA16N50
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 380ミリオーム @ 8.3A、10V

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単価（消費税抜き）:	¥711.00000
単価（消費税込み）:	¥782.10000

FDA16N50-F109