Name: FCB110N65F
Brand: onsemi
SKU: FCB110N65FTR-ND
Price: 1368.4 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

FCB110N65F
DigiKey製品番号	FCB110N65FTR-ND - テープ＆リール（TR） FCB110N65FCT-ND - カットテープ（CT） FCB110N65FDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FCB110N65F
商品概要	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	32 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 35A（Tc） 357W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	FCB110N65F モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	FRFET®, SuperFET® II
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	35A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	110ミリオーム @ 17.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5V @ 3.5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	145 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4895 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	357W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	FCB110