PMV65XPEA215 NXP USA Inc. | シングルFET、MOSFET | Digi-Keyマーケットプレイス

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 9 nC @ 4.5 V
メーカー NXP USA Inc.	Vgs（最大） ±12V
梱包形態バルク	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 618 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 480mW（Ta）、6.25W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2.8A（Ta）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V、4.5V	サプライヤデバイスパッケージ TO-236AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 78ミリオーム @ 2.8A、4.5V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Id印加時のVgs（th）（最大） 1.25V @ 250µA

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