NC1M120C75HTNG NovuSem | シングルFET、MOSFET | Digi-Keyマーケットプレイス

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 75ミリオーム @ 20A、20V
メーカー NovuSem	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.8V @ 5mA
シリーズ NC1M	Vgs（最大） +20V、-5V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1450 pF @ 1000 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 288W（Ta）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 47A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V

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NC1M120C75HTNG