PSMN3R5-80ES,127 Nexperia USA Inc. | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Nexperia USA Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 139 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 9800 pF @ 30 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 338W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.5ミリオーム @ 25A、10V

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