Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 1316.7 JPY
Availability: OutOfStock

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PSMN2R3-100SSEJ
DigiKey製品番号	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - テープ＆リール（TR） 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - カットテープ（CT） 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Nexperia USA Inc.
メーカー製品番号	PSMN2R3-100SSEJ
商品概要	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
メーカーの標準リードタイム	26 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 255A（Tc） 341W（Tc）面実装 LFPAK88（SOT1235）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	PSMN2R3-100SSEJ モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Nexperia USA Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 160 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 17200 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 341W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 255A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ LFPAK88（SOT1235）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース SOT-1235
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.2ミリオーム @ 25A、10V	ベース品番 PSMN2R3