Name: PSMN1R9-40YSDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R9-40YSDXTR-ND
Price: 531.3 JPY
Availability: InStock

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PSMN1R9-40YSDX
DigiKey製品番号	1727-PSMN1R9-40YSDXTR-ND - テープ＆リール（TR） 1727-PSMN1R9-40YSDXCT-ND - カットテープ（CT） 1727-PSMN1R9-40YSDXDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Nexperia USA Inc.
メーカー製品番号	PSMN1R9-40YSDX
商品概要	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 200A（Tc） 194W（Tc）面実装 LFPAK56、Power-SO8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	PSMN1R9-40YSDX モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Nexperia USA Inc.
シリーズ	TrenchMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	200A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.9ミリオーム @ 25A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.6V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	80 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	6198 pF @ 20 V
FET機能	ショットキーダイオード（本体）
電力散逸（最大）	194W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	LFPAK56、Power-SO8
パッケージ/ケース	SC-100、SOT-669
ベース品番	PSMN1R9