カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.1V @ 1mA
メーカー Nexperia USA Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 33.9 nC @ 5 V
シリーズ TrenchMOS™	Vgs（最大） ±10V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4483 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 137W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.4ミリオーム @ 25A、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
CSD18511KTT	Texas Instruments	505	296-51015-1-ND	¥414.00000	類似
IPB80N04S404ATMA1	Infineon Technologies	1,824	IPB80N04S404ATMA1CT-ND	¥412.00000	類似
IPB80N04S4L04ATMA1	Infineon Technologies	472	448-IPB80N04S4L04ATMA1CT-ND	¥412.00000	類似
IRF1404STRLPBF	Infineon Technologies	596	IRF1404STRLPBFCT-ND	¥567.00000	類似
IRL1404STRLPBF	Infineon Technologies	100	IRL1404STRLPBFCT-ND	¥690.00000	類似

BUK965R4-40E,118