BUK7909-75ATE,127 Nexperia USA Inc. | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 121 nC @ 10 V
メーカー Nexperia USA Inc.	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4700 pF @ 25 V
梱包形態チューブ	FET機能温度センシングダイオード
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 272W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 75 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	取り付けタイプスルーホール
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-5
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9ミリオーム @ 50A、10V	パッケージ/ケース TO-220-5
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA

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