BUK662R5-30C,118 Nexperia USA Inc. | シングルFET、MOSFET

BUK662R5-30C,118 は生産中止品です。現在は生産されていません。

購入可能な代替品:

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STMicroelectronics

在庫あり: 2,500

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.8V @ 1mA
メーカー Nexperia USA Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 114 nC @ 10 V
シリーズ TrenchMOS™	Vgs（最大） ±16V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6960 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 204W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.8ミリオーム @ 25A、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB

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BUK662R5-30C,118

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPB80N03S4L03ATMA1	Infineon Technologies	19,412	IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND	¥254.81720	類似
STD155N3LH6	STMicroelectronics	2,500	497-11308-1-ND	¥384.00000	類似