Name: BSP100,135
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 2156-BSP100,135-954-ND
Price: 100.97703 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 100ミリオーム @ 2.2A、10V
メーカー Nexperia USA Inc.	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.8V @ 1mA
シリーズ TrenchMOS™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 6 nC @ 10 V
梱包形態バルク	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 250 pF @ 20 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 8.3W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -65°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 3.2A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-261-4、TO-261AA

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