Name: G3R350MT12D
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12D-ND
Price: 1452 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.69V @ 2mA
メーカー Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 12 nC @ 15 V
シリーズ G3R™	Vgs（最大） ±15V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 334 pF @ 800 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 74W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V	ベース品番 G3R350
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 420ミリオーム @ 4A、15V