Name: IXTY1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-ND
Price: 809.6 JPY
Availability: OutOfStock

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IXTY1R6N100D2
DigiKey製品番号	238-IXTY1R6N100D2-ND
メーカー	IXYS
メーカー製品番号	IXTY1R6N100D2
商品概要	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
メーカーの標準リードタイム	50 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 1.6A（Tc） 100W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IXTY1R6N100D2 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	IXYS
シリーズ	Depletion
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル、デプレッションモード
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1000 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	1.6A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	-
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	10オーム @ 800mA、0V
Id印加時のVgs（th）（最大）	-
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	27 nC @ 5 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	645 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	100W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252AA
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	IXTY1