
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。


IXTY1R6N100D2 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 238-IXTY1R6N100D2-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IXTY1R6N100D2 |
商品概要 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
メーカーの標準リードタイム | 32 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 1.6A(Tc) 100W(Tc) 面実装 TO-252AA |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | IXTY1R6N100D2 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1000 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 10オーム @ 800mA、0V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | - | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 27 nC @ 5 V | |
Vgs(最大) | ±20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 645 pF @ 25 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 100W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥758.00000 | ¥758 |
| 70 | ¥373.25714 | ¥26,128 |
| 140 | ¥340.60000 | ¥47,684 |
| 560 | ¥290.01786 | ¥162,410 |
| 1,050 | ¥272.26667 | ¥285,880 |
| 2,030 | ¥270.48966 | ¥549,094 |
| 単価(消費税抜き): | ¥758.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥833.80000 |

