Name: IXTY1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-ND
Price: 1005.4 JPY
Availability: OutOfStock

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IXTY1R6N100D2
DigiKey製品番号	238-IXTY1R6N100D2-ND
メーカー	IXYS
メーカー製品番号	IXTY1R6N100D2
商品概要	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 1.6A（Tc） 100W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IXTY1R6N100D2 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 27 nC @ 5 V
メーカー IXYS	Vgs（最大） ±20V
シリーズ Depletion	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 645 pF @ 25 V
梱包形態チューブ	電力散逸（最大） 100W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル、デプレッションモード	取り付けタイプ面実装
技術 MOSFET（金属酸化物）	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1000 V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1.6A（Tc）	ベース品番 IXTY1
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 10オーム @ 800mA、0V