Name: IXTY01N100
Brand: IXYS
SKU: IXTY01N100-ND
Price: 774.4 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 25µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 6.9 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 54 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 25W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1000 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100mA（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 80オーム @ 100mA、10V	ベース品番 IXTY01

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IXTY01N100