Name: IXTT1N450HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT1N450HV-ND
Price: 10650.2 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 6.5V @ 250µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 40 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1730 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 520W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 4500 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-268AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-268-3、D3PAK（2リード + タブ）、TO-268AA
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 85オーム @ 50mA、10V	ベース品番 IXTT1