Name: IXTA76P10T
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA76P10T-ND
Price: 1678.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 197 nC @ 10 V
シリーズ TrenchP™	Vgs（最大） ±15V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 13700 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 298W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 76A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTA76
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 25ミリオーム @ 38A、10V