Name: IXTA75N10P
Brand: IXYS
SKU: IXTA75N10P-ND
Price: 1290.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.5V @ 250µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 74 nC @ 10 V
シリーズ Polar	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2250 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 360W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTA75
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 25ミリオーム @ 500mA、10V

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単価（消費税抜き）:	¥1,173.00000
単価（消費税込み）:	¥1,290.30000

IXTA75N10P