Name: IXTA6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA6N100D2-ND
Price: 2272.6 JPY
Availability: InStock

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IXTA6N100D2
DigiKey製品番号	238-IXTA6N100D2-ND
メーカー	IXYS
メーカー製品番号	IXTA6N100D2
商品概要	MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 6A（Tc） 300W（Tc）面実装 TO-263AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IXTA6N100D2 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 95 nC @ 5 V
メーカー IXYS	Vgs（最大） ±20V
シリーズ Depletion	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2650 pF @ 25 V
梱包形態チューブ	電力散逸（最大） 300W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル、デプレッションモード	取り付けタイプ面実装
技術 MOSFET（金属酸化物）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263AA
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1000 V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 6A（Tc）	ベース品番 IXTA6
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.2オーム @ 3A、0V