Name: IXTA30N25L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA30N25L2-ND
Price: 2865.5 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 130 nC @ 10 V
シリーズ Linear L2™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3200 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 355W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 250 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTA30
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 140ミリオーム @ 15A、10V

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FDB38N30U	onsemi	3,613	FDB38N30UCT-ND	¥789.00000	類似
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