Name: IXTA2N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTA2N100P-ND
Price: 435.41666 JPY
Availability: OutOfStock

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STMicroelectronics

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 100µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 24.3 nC @ 10 V
シリーズ Polar	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 655 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 86W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1000 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTA2
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7.5オーム @ 500mA、10V

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代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
STD3NK100Z	STMicroelectronics	4,523	497-7967-1-ND	¥569.00000	類似

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数量	単価	請求価格
300	¥395.83333	¥118,750

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単価（消費税抜き）:	¥395.83333
単価（消費税込み）:	¥435.41666

IXTA2N100P