Name: IXTA1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1R6N100D2-ND
Price: 1049.4 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IXTA1R6N100D2
DigiKey製品番号	238-IXTA1R6N100D2-ND
メーカー	IXYS
メーカー製品番号	IXTA1R6N100D2
商品概要	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 1.6A（Tc） 100W（Tc）面実装 TO-263AA
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 10オーム @ 800mA、0V
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 27 nC @ 5 V
シリーズ Depletion	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 645 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 100W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル、デプレッションモード	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1000 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1.6A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTA1

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

在庫：553個

メーカー在庫 800

追加の入荷予定数量を確認

数量

価格はすべてJPYです

チューブ

メーカーの標準パッケージ

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥954.00000
単価（消費税込み）:	¥1,049.40000

IXTA1R6N100D2