Name: IXSJ80N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1-ND
Price: 6408.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.8V @ 22.2mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 154 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +21V、-4V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4522 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 266W
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 85A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ ISO247-3L
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 22.5ミリオーム @ 40A、18V

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単価（消費税抜き）:	¥5,826.00000
単価（消費税込み）:	¥6,408.60000

IXSJ80N120R1