Name: IXSJ43N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ43N120R1-ND
Price: 3963.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.8V @ 11.1mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 79 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +12V、-4V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2453 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 142W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 45A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ ISO247-3L
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 47ミリオーム @ 1A、18V

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単価（消費税抜き）:	¥3,603.00000
単価（消費税込み）:	¥3,963.30000

IXSJ43N120R1